Paziņots Samsung 5nm process, kā arī informācija par 4nm un 3nm

Nāk mazāki efektīvāki čipi

Kamēr Intel ir radušās problēmas ar 10 nm procesu, un tas jau ir aizkavējies 3 reizes, Samsung ir spējis nokļūt 7 nm procesā, un tagad mēs esam ieguvuši informāciju par Samsung 5 nm procesu. Ne tikai tas, bet Samsung arī atklāja informāciju par 4nm un 3nm procesu. Šķeldas kļūs mazākas un energoefektīvākas, kas nozīmē mazāku enerģijas patēriņu un lielāku akumulatora darbības laiku.

Samsung 5nm process vai 5nm Low Power Early būs 7nm procesa samazinātā versija ar uzlabotu enerģijas patēriņu. Pēc tam Samsung pāries uz 4nm agrās un mazjaudas plus procesiem. 4 nm process būs pēdējā paaudze, kurā tiks izmantota FinFET tehnoloģija.

7 nm LPP ir pirmais pusvadītāju process, kurā izmantots EUV litogrāfijas risinājums, un tas būs gatavs masveida ražošanai 2018. gada otrajā pusē. Arī TSMC un Globalfoundries ir paziņojuši par līdzīgiem plāniem un sāks ražošanu 2019. gadā.

3 nm procesa mezgli pieņems GAA, kas ir nākamās paaudzes ierīces arhitektūra. Tas tika darīts, lai pārvarētu FinFET arhitektūras fiziskās mērogošanas un veiktspējas ierobežojumus. Samsung izstrādā savu GAA tehnoloģiju MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET), kas izmanto nano lokšņu ierīci. Samsung apgalvo, ka 3 nm mezglu darbība tiks ievērojami uzlabota.

Saskaņā ar Čārliju Bē, izpilddirektora vietnieku un Foundry Sales & Marketing vadītāju:

'Veidojoties gudrākai, savienotākai pasaulei, nozare pieprasa vairāk no silīcija piegādātājiem,'

Ir aizraujoši zināt, ka mēs jau zinām par Samsung 5nm procesu, kā arī 4nm un 3 nm procesu, pirms 7nm pat sasniedz produkciju. Tas nozīmē, ka Samsung nākotnē ir daudz priekšā un ir visu izdomājis. Būtu interesanti uzzināt, kāda veida veiktspējas priekšrocības šīm gaidāmajām mikroshēmām būs jāpiedāvā salīdzinājumā ar tām, kuras mums šobrīd ir tirgū.

Paturot to visu prātā, Intel patiešām ir jāpanāk un jāpaātrinās arī viņu procesi.

Paziņojiet mums, ko jūs domājat par Samsung 5nm procesu un vai tas ir kaut kas, kas jūs interesē.